巨额投资再建厂! 海力士欲增DRAM产能

CNET中国·PChome.net 类型:编译作者: PCHOME新闻报道组责编:钟志宽时间:2006-09-15

来自台湾DigiTimes的消息——韩记忆体大厂海力士（Hynix）宣布将再加码投资扩产，继续提高2006年的资本支出，从原先的3.6兆韩元（约37.5亿美元），增加到4兆韩元（约41.7亿美元），以扩充记忆体晶片生产设备，海力士也希望寻求更多的合作伙伴。

海力士在2006年6月就已经发行过新股筹措资金，近期则在8月初宣布将投资1.26兆韩元（约13亿美元），扩充及升级记忆体产能及相关研发实力，其中一部份投资额将作为NAND型快闪记忆体（Flash）产线导入60奈米制程之用。如今预计将再发行4亿美元的可转换公司债，不过确切时间未定。

海力士策略发展资深副总裁O.C. Kwon表示，海力士预计大陆12寸新厂在2007年初提前量产NAND型Flash，目前正加紧脚步推动中。而该公司在江苏省无锡与意法半导体（STMicroelectronics）合资成立的晶圆厂，以生产DRAM为主。他表示，NAND型Flash将在9月提高合约价，并预期10月、11月的价格会趋于稳定。

Kwon进一步强调，由于微软（Microsoft）的新作业系统Vista即将上市，执行Vista电脑将会需要较多的记忆体容量，现阶段的DRAM需求上升，而记忆体厂为了因应需求而进行转换制程仍碰到一些问题。所以当目前DRAM需求超乎预期时，海力士将会调整原本DRAM与NAND型Flash 6：4的产能分配，持续增加DRAM产出比重。

另外，Kwon透露，海力士将会增加策略合作的伙伴，以强化该公司的营运与竞争力。目前海力士与意法、台厂茂德为合作伙伴，Kwon表示，由于这个产业的资本投入相当庞大并且技术持续在进步与变革，将会寻求合作对象共同投资设厂。